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FDFME3N311ZT 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FDFME3N311ZT詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.8A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:299 毫歐 @ 1.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 15V
功率_最大:600mW
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

FDFME3N311ZT詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.8A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:299 毫歐 @ 1.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 15V
功率_最大:600mW
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

FDFME3N311ZT詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.8A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:299 毫歐 @ 1.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 15V
功率_最大:600mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:6-MicroFET(1.6x1.6)
包裝:帶卷 (TR)

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