FDMS3606AS 全國供應商、價格、PDF資料

FDMS3606AS詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 13A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1695pF @ 15V

功率_最大：2.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商設備封裝：Power56

包裝：帶卷 (TR)

• IRLHM630TR2PBF

  FET - 單    International Rectifier    8-VQFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

• IMP4-1E0-4LL-4QD-00-A

  AC DC 轉換器    Emerson Network Power/Embedded Power        IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• FCP1206H392G

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    1206（3216 公制）    CAP FILM 3900PF 50VDC 1206

• FDMS2380

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內部開關    Fairchild Semiconductor    18-FQFN    IC SOLENOID DRIVER DUAL 18QFN

• FDMS2672

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-MLP，Power56    MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56

• GTC06CF-16-10S

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations        CONN PLUG 3POS STRAIGHT W/SCKT

• IRLHS6242TR2PBF

  FET - 單    International Rectifier    6-PowerVDFN    MOSFET N-CH 20V 10A PQFN

• CRCW2512330RJNEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 330 OHM 1W 5% 2512 SMD

• FCP1206H392J

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    1206（3216 公制）    CAP FILM 3900PF 50VDC 1206

• GTC06CF-16S-1P

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations        CONN PLUG 7POS STRAIGHT W/PINS

• IRLI540G

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-220-3 全封裝，隔離接片    MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP

• CRCW2512330RJNEGHP

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 330 OHM 1.5W 5% 2512 SMD

• FDMS3615S

  FET - 陣列    Fairchild Semiconductor    8-PowerTDFN    MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN

• FCP1206H472G-H1

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    1206（3216 公制）    CAP FILM 4700PF 50VDC 1206

• IMP4-1E-1E-1Q-4NN-00-A

  AC DC 轉換器    Emerson Network Power/Embedded Power        IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY