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FDMS3660S 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FDMS3660S詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 N 溝道(雙)非對稱型
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 13A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.7V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1765pF @ 15V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:Power56
包裝:剪切帶 (CT)

FDMS3660S詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 N 溝道(雙)非對稱型
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 13A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.7V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1765pF @ 15V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:Power56
包裝:Digi-Reel®

FDMS3660S詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 N 溝道(雙)非對稱型
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 13A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.7V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1765pF @ 15V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:Power56
包裝:帶卷 (TR)

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