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FDMS86322 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FDMS86322詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:80V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.65 毫歐 @ 13A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3000pF @ 50V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:Power56
包裝:帶卷 (TR)

FDMS86322詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:80V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.65 毫歐 @ 13A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3000pF @ 50V
功率_最大:2.5W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

FDMS86322詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:80V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.65 毫歐 @ 13A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3000pF @ 50V
功率_最大:2.5W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

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