FDS6670A詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 13A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:)0pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
FDS6670A詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 13A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:)0pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
FDS6670A詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 13A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:)0pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
FDS6670AS詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
- 系列:PowerTrench®, SyncFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 13.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1540pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
FDS6670AS詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
- 系列:PowerTrench®, SyncFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 13.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1540pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
FDS6670AS詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
- 系列:PowerTrench®, SyncFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 13.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1540pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 Maxim Integrated 16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16TSSOP
- 接口 - 驅動器,接收器,收發器 Maxim Integrated 28-SSOP(0.209",5.30mm 寬) IC TXRX RS-232 W/SHTDWN 28-SSOP
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 IC VREF SHUNT PREC 2.048V TO92-3
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 681 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 2POS PIN
- 接口 - 串行器,解串行器 Maxim Integrated 24-SSOP(0.209",5.30mm 寬) IC 1:4 DESERIALIZR W/LVDS 24SSOP
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 28-WFQFN 裸露焊盤 IC AMP AUDIO PWR 2.2W STER 28LLP
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 Maxim Integrated 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16SOIC
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 IC VREF SHUNT PREC 2.048V TO92-3
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 Maxim Integrated 18-DIP(0.300",7.62mm) IC MULTIPLEXER 8X1 18DIP
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 2POS STRAIGHT W/PINS
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 7.32K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 Maxim Integrated 16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC SWITCH TRIPLE SPDT 16TSSOP
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 28-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC AMP AUDIO PWR 2.2W AB 28TSSOP
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