FDS6682詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 毫歐 @ 14A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2310pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X3MM
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 330UH 10% 1812
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X1MM
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 120NH 10% 1812
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.3PF 25V NP0 0201
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X5MM
- 接口 - I/O 擴展器 Intersil 44-QFP IC I/O EXPANDER 24B 44MQFP
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