FESB8JT-E3/81 全國供應商、價格、PDF資料

FESB8JT-E3/81詳細規格

類別：單二極管/整流器

描述：DIODE 8A 600V 50NS SGL TO263AB

系列：-

制造商：Vishay General Semiconductor

二極管類型：標準

電壓_333Vr444（最大）：600V

電流_平均整流333Io444：8A

電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1.5V @ 8A

速度：快速恢復 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）

反向恢復時間333trr444：50ns

電流_在Vr時反向漏電：10µA @ 600V

電容0a0VrwwwwF：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：TO-263AB

包裝：帶卷 (TR)

• CAT28F512HI12

  存儲器    ON Semiconductor    32-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）    IC FLASH MEM 512KB 120NS 32TSOP

• FGG.00.302.CLAD30

  連接器，互連器件    LEMO    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    PLUG CDG 2CTS C-COL

• CA3106F22-19PBF80

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 14POS INLINE W/PINS

• FESB8GT-E3/81

  單二極管/整流器    Vishay General Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    DIODE 8A 400V 50NS SGL TO263AB

• FDB035AN06A0

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

• DL66R14-07SY-6106-LC

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG PLUG STRGHT 7POS SKT

• CAT28F512LI90

  存儲器    ON Semiconductor    32-DIP（0.600"，15.24mm）    IC FLASH MEM 512KB 90NS 32PDIP

• ERJ-6ENF1330V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0805（2012 公制）    RES 133 OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• FGG.00.302.CLAZ

  連接器，互連器件    LEMO    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    PLUG CDG 2CTS

• DL66R14-12P6-6117-LC

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG PLUG STRGHT 12POS PIN

• FDB035N10A

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

• CAT28LV64GI20

  存儲器    ON Semiconductor    32-LCC（J 形引線）    IC EEPROM 64KBIT 200NS 32PLCC

• ERJ-6ENF1332V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0805（2012 公制）    RES 13.3K OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• CA3106F22-1PB

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 2POS INLINE W/PINS

• FGG.00.303.CLAD27

  連接器，互連器件    LEMO    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    PLUG CDG 3CTS C-COL