FGA60N65SMD 全國供應商、價格、PDF資料

FGA60N65SMD詳細規格

類別：IGBT - 單路

描述：IGBT 650V 120A TO-3P

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

IGBT類型：場截止

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：650V

VgewwwwIc時的最大Vce（開）：2.5V @ 15V，60A

電流_集電極333Ic444（最大）：120A

功率_最大：600W

輸入類型：標準

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

供應商設備封裝：TO-3P

包裝：管件

• GP10YEHE3/73

  單二極管/整流器    Vishay General Semiconductor    DO-204AL，DO-41，軸向    DIODE 1A 1600V STD SMC

• H2MXH-2018M

  矩形    Assmann WSW Components        DIP CABLE - HDM20H/AE20M/X

• IRF6100PBF

  FET - 單    International Rectifier    4-FlipFet?    MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET

• FGA50N60LS

  IGBT - 單路    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    IGBT 600V 50A TO-3P

• IRF7606TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8

• IPI120N06S4-H1

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

• H2MXH-2418M

  矩形    Assmann WSW Components        DIP CABLE - HDM24H/AE24M/X

• GP10YHE3/54

  單二極管/整流器    Vishay General Semiconductor    DO-204AL，DO-41，軸向    DIODE 1A 1600V STD SMC

• IRF610STRLPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

• IPI126N10N3 G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3

• H2MXH-3036G

  矩形    Assmann WSW Components        DIP CABLE - HDM30H/AE30G/X

• GP10YHE3/73

  單二極管/整流器    Vishay General Semiconductor    DO-204AL，DO-41，軸向    DIODE 1A 1600V STD SMC

• IRF7607TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8

• IRF610STRR

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

• H2MXH-3406G

  矩形    Assmann WSW Components        DIP CABLE - HDM34H/AE34G/X