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FM25L04B-GTR 全國供應商、價格、PDF資料

FM25L04B-GTR詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC FRAM 4KBIT 20MHZ SRL 8SOIC; 系列：-; 制造商：Ramtron; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：FRAM（Ferroelectric RAM）; 存儲容量：4K (512 x 8); 速度：20MHz; 接口：SPI 串行; 電壓_電源：2.7 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商器件封裝：8-SOIC; 包裝：剪切帶 (CT)

FM25L04B-GTR詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC FRAM 4KBIT 20MHZ SRL 8SOIC; 系列：-; 制造商：Ramtron; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：FRAM（Ferroelectric RAM）; 存儲容量：4K (512 x 8); 速度：20MHz; 接口：SPI 串行; 電壓_電源：2.7 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商器件封裝：8-SOIC; 包裝：帶卷 (TR)

FM25L04B-GTR詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC FRAM 4KBIT 20MHZ SRL 8SOIC; 系列：-; 制造商：Ramtron; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：FRAM（Ferroelectric RAM）; 存儲容量：4K (512 x 8); 速度：20MHz; 接口：SPI 串行; 電壓_電源：2.7 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商器件封裝：8-SOIC; 包裝：Digi-Reel®

CW010100R0KE12
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 100 OHM 13W 10% WW AXIAL
ISC1812ESR22M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 220NH 20% 1812
CW01010K00JE73
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 10K OHM 13W 5% WW AXIAL
FM25L04B-DG
存儲器 Ramtron 8-VDFN 裸露焊盤 IC FRAM 4KBIT SPI 20MHZ 8TDFN
FLA.1S.306.CLAC27Z
連接器，互連器件 LEMO PLUG 90 6CTS C-COL
ISE40-T1-62
壓力 SMC Corporation of America 模塊 SENSOR PRESSURE 1MPA PNP/ ANLG
IDT70V3599S166BF
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA
CW01010K90JE12
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 10.9K OHM 13W 5% WW AXIAL
ISC1812ESR56M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 560NH 20% 1812
FLA.1S.306.CLAC27Z
連接器，互連器件 LEMO PLUG 90 6CTS C-COL
CW01010R00JS67
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 10 OHM 13W 5% WW AXIAL
IDT70V35L20PF8
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP
CW01010R00JS73
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 10 OHM 13W 5% WW AXIAL
IS-L0107-IS15ABFP4RGB
配件 NKK Switches 模塊 BOARD LOGIC IS15ABFP4RGB & AT548
CW010110R0KE12
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 110 OHM 13W 10% WW AXIAL