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FQA6N90 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FQA6N90詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:900V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.9 歐姆 @ 3.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:52nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1880pF @ 25V
功率_最大:198W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝:TO-3P
包裝:管件

FQA6N90_F109詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:900V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.9 歐姆 @ 3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:52nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1880pF @ 25V
功率_最大:198W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝:TO-3PN
包裝:管件

FQA6N90C_F109詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:900V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.3 歐姆 @ 3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1770pF @ 25V
功率_最大:198W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝:TO-3PN
包裝:管件

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