FQB10N60CTM 全國供應商、價格、PDF資料

FQB10N60CTM詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：730 毫歐 @ 4.75A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2040pF @ 25V

功率_最大：3.13W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D²PAK

包裝：帶卷 (TR)

• CGA6M3X7R2E104K

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 0.1UF 250V 10% X7R 1210

• FK18C0G1H470J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 47PF 50V 5% RADIAL

• CGJ6L2X7R2A684K

  陶瓷    TDK Corporation    -    CAP CER 0.68UF 100V 10% X7R 1210

• FQAF9P25

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET P-CH 250V 7.1A TO-3P

• CGA3E2X7R1H222K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 2200PF 50V 10% X7R 0603

• ESR10EZPF3301

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 3.30K OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA6M3X7R2E104K/SOFT

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 0.1UF 250V 10% X7R 1210

• FK18C0G1H4R7C

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 4.7PF 50V RADIAL

• CGA3E2X7R1H222K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 2200PF 50V 10% X7R 0603

• CGJ6L2X7R2A684K

  陶瓷    TDK Corporation    -    CAP CER 0.68UF 100V 10% X7R 1210

• CGA6M3X7R2E104K/SOFT

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 0.1UF 250V 10% X7R 1210

• FK18C0G1H562J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 5600PF 50V 5% RADIAL

• ESR10EZPF4301

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 4.30K OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA3E2X7R1H223K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0603

• FQB11N40TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK