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FQD12P10 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FQD12P10TF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫歐 @ 4.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

FQD12P10TF_NB82105詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫歐 @ 4.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

FQD12P10TM詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫歐 @ 4.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

FQD12P10TM_AS004詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 100V 12A DPAK
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:
FET特點:
漏極至源極電壓333Vdss444:
電流_連續漏極333Id4440a025000C:
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
Id時的Vgs333th444(最大):
閘電荷333Qg4440a0Vgs:
輸入電容333Ciss4440a0Vds:
功率_最大:
安裝類型:
封裝/外殼:
供應商設備封裝:
包裝:

FQD12P10TM_F085詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫歐 @ 4.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

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