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FQI4N20 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FQI4N20LTU詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.8A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.35 歐姆 @ 1.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:310pF @ 25V
功率_最大:3.13W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝:I2PAK
包裝:管件

FQI4N20TU詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.4 歐姆 @ 1.8A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:220pf @ 25V
功率_最大:3.13W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝:I2PAK
包裝:管件

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