FQP22P10詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 22A TO-220
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:22A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220
- 包裝:管件
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology 徑向,圓盤 H48-2 SHEET 300X300X1MM
- RF配件 Laird Technologies IAS MOUNT MAGN 3/4" 58A UHFM
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div 2M 4COND 22AWG TPE ST MALE M12
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology 徑向,圓盤 H48-2 SHEET 300X300X2MM
- RF配件 Laird Technologies IAS MOUNT MAGN 3/4" 58A RTNM
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 17A TO-220
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology 徑向,圓盤 H48-2 SHEET 300X300X3MM W/ADH
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-2 SHEET 640X320X10MM
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X0.5MM W/ADH
- RF配件 Laird Technologies IAS MOUNT MAGN 3/4" TEFLEX BNCM
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology THERMAL PAD H48-6 25X25X9MM
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