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FQU13N06 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FQU13N06LTU詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 5.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

FQU13N06LTU_WS詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 5.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

FQU13N06TU詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:310pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

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