GJM0335C1E5R1CB01D 全國供應商、價格、PDF資料

GJM0335C1E5R1CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：5.1pF

電壓_額定：25V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

等級：

封裝/外殼：0201（0603 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：剪切帶 (CT)

故障率：

GJM0335C1E5R1CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：5.1pF

電壓_額定：25V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

額定值：-

封裝/外殼：0201（0603 公制）

尺寸/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.013"（0.33mm）

引線間隔：-

特點：高 Q 值，低損耗

包裝：Digi-Reel®

GJM0335C1E5R1CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：5.1pF

電壓_額定：25V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

額定值：-

封裝/外殼：0201（0603 公制）

尺寸/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.013"（0.33mm）

引線間隔：-

特點：高 Q 值，低損耗

包裝：剪切帶 (CT)

GJM0335C1E5R1CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：5.1pF

電壓_額定：25V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

額定值：-

封裝/外殼：0201（0603 公制）

尺寸/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.013"（0.33mm）

引線間隔：-

特點：高 Q 值，低損耗

包裝：帶卷 (TR)

GJM0335C1E5R1CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：5.1pF

電壓_額定：25V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

等級：

封裝/外殼：0201（0603 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：Digi-Reel®

故障率：

GJM0335C1E5R1CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：5.1pF

電壓_額定：25V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

等級：

封裝/外殼：0201（0603 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：帶卷 (TR)

故障率：

• FDS6675BZ

  FET - 單    Fairchild Optoelectronics Group    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

• IPW65R110CFD

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

• H48-6C-640-320-2.0-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH

• IRFU6215

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK

• ISC1812ES1R2J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812

• GJM0335C1E5R0CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5PF 25V NP0 0201

• H48-6G-100-100-2.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 100X100X2MM

• IPW65R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247

• IRFU9120

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK

• ISC1812ES1R8K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812

• IRFU9120NPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK

• H48-6G-100-100-3.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 100X100X3MM

• IPW65R190E6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

• IRFU9310PBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK

• FDS6680AS

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC