GJM1555C1H1R2CB01D 全國供應商、價格、PDF資料

GJM1555C1H1R2CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 1.2PF 50V NP0 0402

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：1.2pF

電壓_額定：50V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

額定值：-

封裝/外殼：0402（1005 公制）

尺寸/尺寸：0.039" L x 0.020" W（1.00mm x 0.50mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.022"（0.55mm）

引線間隔：-

特點：高 Q 值，低損耗

包裝：帶卷 (TR)

GJM1555C1H1R2CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 1.2PF 50V NP0 0402

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：1.2pF

電壓_額定：50V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

等級：

封裝/外殼：0402（1005 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：剪切帶 (CT)

故障率：

GJM1555C1H1R2CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 1.2PF 50V NP0 0402

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：1.2pF

電壓_額定：50V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

額定值：-

封裝/外殼：0402（1005 公制）

尺寸/尺寸：0.039" L x 0.020" W（1.00mm x 0.50mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.022"（0.55mm）

引線間隔：-

特點：高 Q 值，低損耗

包裝：Digi-Reel®

GJM1555C1H1R2CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 1.2PF 50V NP0 0402

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：1.2pF

電壓_額定：50V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

額定值：-

封裝/外殼：0402（1005 公制）

尺寸/尺寸：0.039" L x 0.020" W（1.00mm x 0.50mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.022"（0.55mm）

引線間隔：-

特點：高 Q 值，低損耗

包裝：剪切帶 (CT)

GJM1555C1H1R2CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 1.2PF 50V NP0 0402

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：1.2pF

電壓_額定：50V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

等級：

封裝/外殼：0402（1005 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：帶卷 (TR)

故障率：

GJM1555C1H1R2CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 1.2PF 50V NP0 0402

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：1.2pF

電壓_額定：50V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

等級：

封裝/外殼：0402（1005 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：Digi-Reel®

故障率：

• FDT439N

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-261-4，TO-261AA    MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

• H4BBT-10103-L1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H9992TR/A3047L/H9992TR 3"

• IR2125STRPBF

  未定義的系列    International Rectifier    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC MOSFET DRIVER LIMITING 16SOIC

• GJM1555C1H1R2CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 1.2PF 50V NP0 0402

• ISD1416SY

  接口 - 語音錄制和重放    Nuvoton Technology Corporation of America    28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC MEM VOICE REC/PLAY 16S 28SOIC

• HAY1105W-TR

  LED - 分立式    Stanley Electric Co    1206（3216 公制）    LED YELLOW CLEAR 1206 SMD

• IR2127

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    International Rectifier    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8-DIP

• H4BBT-10103-S1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H9992TR/A3047S/H9992TR 3"

• FDU3N40TU

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

• FDU8580

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK

• HAZ101KBABRBKR

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向，圓盤    CAP CER 100PF 1KV 10% RADIAL

• H4BBT-10103-S8-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H9992TR/A3048S/H9992TR 3"

• GJM1555C1H1R8CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 1.8PF 50V NP0 0402

• ISD1610BPYI01

  接口 - 語音錄制和重放    Nuvoton Technology Corporation of America    16-DIP（0.300"，7.62mm）    IC VOICE REC/PLAY 10SEC 16-DIP

• IR21271PBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    International Rectifier    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC DRIVER 600V 200/420MA 8-DIP