GS-3-100-1001-F-LF 全國供應商、價格、PDF資料

GS-3-100-1001-F-LF詳細規格

類別：通孔電阻器

描述：RES THICK FLM 1K OHM 3W 1% AXL

系列：GS-3

制造商：TT Electronics/IRC

電阻333Ω444：1k

功率333W444：3W

成分：厚膜

特性：-

溫度系數：±100ppm/°C

容差：±1%

封裝/外殼：軸向

供應商器件封裝：軸向

大小/尺寸：0.224" 直徑 x 0.516" L（5.70mm x 13.10mm）

高度：-

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

GS-3-100-1001-F-LF詳細規格

類別：通孔電阻器

描述：RES THICK FLM 1K OHM 3W 1% AXL

系列：GS-3

制造商：TT Electronics/IRC

電阻333Ω444：1k

功率333W444：3W

成分：厚膜

特性：-

溫度系數：±100ppm/°C

容差：±1%

封裝/外殼：軸向

供應商器件封裝：軸向

大小/尺寸：0.224" 直徑 x 0.516" L（5.70mm x 13.10mm）

高度：-

端子數：2

包裝：剪切帶 (CT)

• GRM31MR71C684KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.68UF 16V 10% X7R 1206

• IMC1812EBR33M

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 330NH 20% 1812

• GS2986-INE3

  線性 - 視頻處理    Semtech    40-VFQFN 裸露焊盤    IC SDI RECLOCKER SMPTE 40QFN

• LGY2F101MELZ

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 100UF 315V 20% SNAP

• DS1211N+

  存儲器 - 控制器    Maxim Integrated    20-DIP（0.300"，7.62mm）    IC CONTROLLER 8-CHIP NV 20-DIP

• IDT70V631S12BC8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA

• GRM31MR71E105MA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 25V 20% X7R 1206

• DSP1-L-DC3V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    2-SMD    RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 3V

• IHSM5832ER471L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 470UH .49A SMD

• LGY2F181MELZ

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 180UF 315V 20% SNAP

• DS1212

  存儲器 - 控制器    Maxim Integrated    28-DIP（0.600"，15.24mm）    IC CONTROLLER NV 16-CHIP 28-DIP

• GRM31MR71E155KA88L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 1.5UF 25V 10% X7R 1206

• IDT70V631S12BCI8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA

• IHSM5832ER472L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 4700UH .14A SMD

• DSP1N5D7

  DC DC Converters    Power-One    5-SIP 模塊    CONV DC-DC 1W +7/-7V OUT