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GWM120-0075P3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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GWM120-0075P3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET MOD TRENCH ISOPLUS-DIL
系列:-
制造商:IXYS
FET型:6 N-溝道(3 相橋)
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:118A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 60A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:ISOPLUS-DIL?
供應商設備封裝:ISOPLUS-DIL?
包裝:管件

GWM120-0075P3-SL詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
系列:-
制造商:IXYS
FET型:6 N-溝道(3 相橋)
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:118A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 60A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:17-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:SMD
包裝:管件

GWM120-0075P3-SL SAM詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
系列:-
制造商:IXYS
FET型:6 N-溝道(3 相橋)
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:118A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 60A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:17-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:SMD
包裝:管件

GWM120-0075P3-SMD詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
系列:-
制造商:IXYS
FET型:6 N-溝道(3 相橋)
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:118A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 60A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:18-SMD,非標準型
供應商設備封裝:SMD
包裝:管件

GWM120-0075P3-SMD SAM詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
系列:-
制造商:IXYS
FET型:6 N-溝道(3 相橋)
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:118A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 60A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:18-SMD,非標準型
供應商設備封裝:SMD
包裝:管件

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