H48-6C-640-320-2.0-1A 全國供應商、價格、PDF資料

H48-6C-640-320-2.0-1A詳細規格

類別：熱 - 墊，片

描述：H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH

系列：H48-6C

制造商：t-Global Technology

應用：片狀

形狀：矩形

外形：640.00mm x 320.00mm

厚度：0.079"（2.00mm）

材料：-

粘合劑：粘合劑 - 一側

底布qqq載體：-

顏色：灰

熱阻率：-

導熱率：3.2 W/m-K

• IRFU430APBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK

• FDS6675

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

• H48-6C-640-320-1.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 640X320X1MM

• IPW60R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

• IRFU5305PBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK

• GJM0335C1E4R8BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 4.8PF 25V NP0 0201

• ISC1812ES181J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 180UH 5% 1812

• IRFU5505

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK

• FDS6675BZ

  FET - 單    Fairchild Optoelectronics Group    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

• IRFU6215

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK

• ISC1812ES1R2J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812

• GJM0335C1E5R0CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5PF 25V NP0 0201

• H48-6G-100-100-2.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 100X100X2MM

• IPW65R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247

• IRFU9120

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK