HAT2160H-EL-E 全國供應商、價格、PDF資料

HAT2160H-EL-E詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 30A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：7750pF @ 10V

功率_最大：30W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-100，SOT-669

供應商設備封裝：LFPAK

包裝：帶卷 (TR)

• H4BXT-10110-W1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H9992TR/A3047W/X 10"

• HAS030YH-ANG

  DC DC Converters    Power-One    9-DIP 模塊    CONV DC-DC 24V IN 12V OUT 30W NL

• GJM0335C1E2R1WB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 2.1PF 25V NP0 0201

• H4BXT-10110-W8-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H9992TR/A3048W/X 10"

• HAS030YH-ANG

  DC DC Converters    Power-One    9-DIP 模塊    CONV DC-DC 24V IN 12V OUT 30W NL

• GJM0335C1E2R2CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 2.2PF 25V NP0 0201

• HAT2141H-EL-E

  FET - 單    Renesas Electronics America    SC-100，SOT-669    MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK

• H4BXT-10110-Y8-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H9992TR/A3048Y/X 10"

• GJM0335C1E2R4CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 2.4PF 25V NP0 0201

• GJM0335C1E2R5BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 2.5PF 25V NP0 0201

• H4BXT-10112-R1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H9992TR/A3047R/X 12"

• HAT2171H

  FET - 單    Renesas Electronics America    SC-100，SOT-669    MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK

• GJM0335C1E2R8CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 2.8PF 25V NP0 0201

• HAT2173H

  FET - 單    Renesas Electronics America    SC-100，SOT-669    MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

• H4BXT-10112-V1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H9992TR/A3047V/X 12"