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HAT2165N 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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HAT2165N詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
系列:-
制造商:Renesas Electronics America
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:55A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 毫歐 @ 27.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5180pF @ 10V
功率_最大:30W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供應商設備封裝:8-LFPAK-iV
包裝:帶卷 (TR)

HAT2165N-EL-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
系列:-
制造商:Renesas Electronics America
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:55A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 毫歐 @ 27.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5180pF @ 10V
功率_最大:30W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供應商設備封裝:8-LFPAK-iV
包裝:帶卷 (TR)

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