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IDT71V35761YS200BG 全國供應商、價格、PDF資料

IDT71V35761YS200BG詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 同步; 存儲容量：4.5M（128K x 36）; 速度：200MHz; 接口：并聯; 電壓_電源：3.135 V ~ 3.465 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：119-BGA; 供應商器件封裝：119-PBGA（14x22）; 包裝：托盤

IDT71V35761YS200BG8詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 同步; 存儲容量：4.5M（128K x 36）; 速度：200MHz; 接口：并聯; 電壓_電源：3.135 V ~ 3.465 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：119-BGA; 供應商器件封裝：119-PBGA（14x22）; 包裝：帶卷 (TR)

LM258ADT
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OP AMP DUAL LOW POWER 8-SOIC
KB15RKW01-5D-JB
按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
K680J15C0GH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 68PF 100V 5% RADIAL
K181K15X7RH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 180PF 100V X7R RADIAL
IHD3EB682L
固定式 Vishay Dale IND AXIAL THRU HOLE 6.8K 15%
IDT71V35761YS200BG
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
LM258AM
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP DUAL HIGH GAIN 8-SOP
KB15RKW01-5D-JD
按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
K680J15C0GK5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 68PF 200V 5% RADIAL
IHLM2525CZER3R3M07
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 3.3UH 6A SMD
K181M10X7RF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 180PF 50V 20% RADIAL
LM258AMDREP
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP 700KHZ DUAL 8SOIC
KB15SKW01-5D24-JD
按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
K680J15C0GL53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 68PF 500V 5% RADIAL
ECJ-2VB1H102K
陶瓷 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） CAP CER 1000PF 50V 10% X7R 0805