IDT71V3577SA75BQGI 全國供應商、價格、PDF資料

IDT71V3577SA75BQGI詳細規格

類別：存儲器

描述：IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：SRAM - 同步

存儲容量：4.5M（128K x 36）

速度：75ns

接口：并聯

電壓_電源：3.135 V ~ 3.465 V

工作溫度：-40°C ~ 85°C

封裝/外殼：165-TBGA

供應商器件封裝：165-CABGA（13x15）

包裝：托盤

• G7L-2A-TUB-CB-DC48

  功率，高于 2 安    Omron Electronics Inc-IA Div        RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 48V

• IDT71V3577SA75BGG8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    119-BGA    IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA

• IDT71V3577SA75BGGI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    119-BGA    IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA

• G7L-2A-TUB-J-CB-DC100

  功率，高于 2 安    Omron Electronics Inc-IA Div        RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 100V

• GSOT24C-GS08

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Opto Division    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE ESD 2LINE 24V SOT23

• GRM43NR72A104KA01K

  陶瓷    Murata Electronics North America    1812（4532 公制）    CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812

• IDT71V3577SA75BGGI8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    119-BGA    IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA

• GSOT24-HT3-GS08

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Opto Division    3-WDFN    DIODE ESD 1LINE 24V LLP75-3B

• GRM43NR72A104KA01K

  陶瓷    Murata Electronics North America    1812（4532 公制）    CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812

• GRM43QR72E154KW01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1812（4532 公制）    CAP CER 0.15UF 250V 10% X7R 1812

• GSP1.7500.1

  電源輸入 - 輸入端，輸出端，模塊    Schurter Inc    3-WDFN    GSP1 APPLIANCE INLET 10A 70

• G7SA-2A2B-DC24

  功率，高于 2 安    Omron Electronics Inc-EMC Div        RELAY SAFETY 4PST 6A 24V

• G3JA-C416B AC100-240

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        STARTR 3PHASE HYBRD 200-480V 16A

• IDT71V3577SA80BGGI8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    119-BGA    IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA

• GSP1.8103.1

  電源輸入 - 輸入端，輸出端，模塊    Schurter Inc    3-WDFN    GSP1 APPLIANCE INLET 10A 70