IMC1210SYR56J 全國供應商、價格、PDF資料

IMC1210SYR56J詳細規格

類別：固定式

描述：INDUCTOR WW 560NH 5% 1210

系列：IMC-1210

制造商：Vishay Dale

類型：鐵粉芯

電感：560nH

電流：

額定電流：450mA

電流_飽和值：-

容差：±5%

材料_磁芯：鐵粉

屏蔽：無屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 550 毫歐

不同頻率時的Q值：30 @ 25.2MHz

頻率_自諧振：180MHz

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.087" H（3.20mm x 2.49mm x 2.21mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

• IDT70V3379S4BCG

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA

• DSF050J824

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向    CAP FILM 0.82UF 50VDC RADIAL

• DTS060330UDC-P6N

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 6VDC 3300MA P6 NEG C

• IMC1210SYR39K

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 390NH 10% 1210

• IHSM4825ER181L

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR POWER 180UH .50A SMD

• DS1100Z-450+

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 5TAP 450NS 8-SOIC

• LGW2E821MELC30

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 820UF 250V 20% SNAP

• DSF05S30U(TPH3,F)

  單二極管/整流器    Toshiba    SC-76，SOD-323    DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC

• IDT70V3379S5BC

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 576KBIT 5NS 256BGA

• GRM31M6P1H152JZ01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 1500PF 50V 5% P2H 1206

• IHSM4825ER181L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 180UH .50A SMD

• DS1100Z-60/T&R

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 5TAP 60NS 8-SOIC

• DSF100J124

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向    CAP FILM 0.12UF 100VDC RADIAL

• LGW2G331MELA50

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 330UF 400V 20% SNAP

• IDT70V3379S6PRF

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    128-LQFP    IC SRAM 576KBIT 6NS 128TQFP