IMH10AT110詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-457
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-74,SOT-457
- 供應商設備封裝:SMT6
- 包裝:Digi-Reel®
IMH10AT110詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-457
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-74,SOT-457
- 供應商設備封裝:SMT6
- 包裝:帶卷 (TR)
IMH10AT110詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-457
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-74,SOT-457
- 供應商設備封裝:SMT6
- 包裝:剪切帶 (CT)
IMH11AT110詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DUAL NPN 50V 50MA SOT-457
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-74,SOT-457
- 供應商設備封裝:SMT6
- 包裝:剪切帶 (CT)
IMH11AT110詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DUAL NPN 50V 50MA SOT-457
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-74,SOT-457
- 供應商設備封裝:SMT6
- 包裝:帶卷 (TR)
IMH11AT110詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DUAL NPN 50V 50MA SOT-457
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-74,SOT-457
- 供應商設備封裝:SMT6
- 包裝:Digi-Reel®
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CON TERMINAL BLOCK SPRING CLAMP
- 晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 40.000000 MHZ 8PF SMD
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SC-74,SOT-457 TRANS PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
- 接線座 - 接頭,插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HEADER 14POS 5MM
- 脈沖 Schurter Inc 8-PowerTDFN IL1 PULSE TRANSFORMER THT SPEZ
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP AUDIO STER AB 8SOIC
- 晶體 CTS-Frequency Controls HC49/U CRYSTAL 11.0592 MHZ 20 PF FUND
- 網絡、陣列 Vishay Thin Film 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CON TERMINAL BLOCK SPRING CLAMP
- 接線座 - 接頭,插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 16POS 5.08MM
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC AMP AUDIO STER AB 8MHZ 8SOIC
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power 34-DIP 模塊 MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 網絡、陣列 Vishay Thin Film 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CON TERMINAL BLOCK SPRING CLAMP
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