久久综合精品国产一区二区三区-人人狠狠综合久久亚洲-久久精品这里热有精品-亚洲欧美日韩另类国产第一

添加收藏夾 設為首頁 深圳服務熱線:13751165337  13692101218 網站地圖|企業名錄|IC詳細資料|熱門庫存|Pdf資料

51電子網Log圖片

IC供應PDF資料非IC供應

51電子網聯系電話:13751165337

當前位置:網站首頁 » 庫存索引342 » 型號"IPD06N03L"的供應信息

IPD06N03L 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
按地區:全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

IPD06N03LA G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2653pF @ 15V
功率_最大:83W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:Digi-Reel®

IPD06N03LA G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2653pF @ 15V
功率_最大:83W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:帶卷 (TR)

IPD06N03LA G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2653pF @ 15V
功率_最大:83W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:剪切帶 (CT)

IPD06N03LB G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.1 毫歐 @ 50A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 15V
功率_最大:83W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:Digi-Reel®

IPD06N03LB G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.1 毫歐 @ 50A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 15V
功率_最大:83W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:帶卷 (TR)

IPD06N03LB G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.1 毫歐 @ 50A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 15V
功率_最大:83W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:剪切帶 (CT)

IPD06N03L供應商

查看更多IPD06N03L的供應商
把51電子網設為首頁      把51電子網加入收藏夾
關于我們 | 會員收費標準 | 廣告服務 | 付款方式 | 友情鏈接 | 網站地圖 | 聯系我們 | 免責聲明
庫存上載:service@51dzw.com   
版權所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務熱線(深圳):13692101218 13751165337 傳真:0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


 復制成功!
时尚| 会理县| 当阳市| 资源县| 苗栗县| 洞头县| 菏泽市| 奉化市| 海盐县| 新巴尔虎右旗| 铁力市| 大连市| 桓仁| 马鞍山市| 陇西县| 上杭县| 绥德县| 利辛县| 太白县| 怀远县| 田阳县| 阿荣旗| 宣城市| 德阳市| 海原县| 丰台区| 六安市| 嵊泗县| 杨浦区| 德惠市| 清水河县| 博客| 柯坪县| 平远县| 寻乌县| 繁峙县| 黄陵县| 桃源县| 四子王旗| 阳朔县| 黑山县|