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IPD30N03S4L-09 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IPD30N03S4L-09詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 13µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 15V
功率_最大:42W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:Digi-Reel®

IPD30N03S4L-09詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 13µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 15V
功率_最大:42W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:剪切帶 (CT)

IPD30N03S4L-09詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 13µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 15V
功率_最大:42W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:帶卷 (TR)

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