IPI11N03LA 全國供應商、價格、PDF資料
IPI11N03LA詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.5 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 20µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1358pF @ 15V
- 功率_最大:52W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:PG-TO262-3
- 包裝:管件
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 55POS PIN
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 1000UH 5% 1812
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRU BEAM 2.2M
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 1000UH 10% 1812
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRU BEAM 2.2M
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) HEX/MOS P-CH DUAL 12V 7.8A 8SOIC
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
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