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IPP023NE7N3 G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IPP023NE7N3 G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.3 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3.8V @ 273µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:206nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:14400pF @ 37.5V
功率_最大:300W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:PG-TO220-3
包裝:剪切帶 (CT)

IPP023NE7N3 G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.3 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3.8V @ 273µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:206nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:14400pF @ 37.5V
功率_最大:300W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:PG-TO220-3
包裝:管件

IPP023NE7N3 G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.3 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3.8V @ 273µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:206nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:14400pF @ 37.5V
功率_最大:300W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:PG-TO220-3
包裝:Digi-Reel®

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