IPW65R110CFD 全國供應商、價格、PDF資料

IPW65R110CFD詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

系列：CoolMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：650V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：31.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 12.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 1.3mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：118nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3240pF @ 100V

功率_最大：277.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應商設備封裝：PG-TO247-3

包裝：管件

• GJM0335C1E4R6BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 4.6PF 25V NP0 0201

• IRFU430APBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK

• FDS6675

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

• H48-6C-640-320-1.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 640X320X1MM

• IPW60R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

• IRFU5305PBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK

• GJM0335C1E4R8BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 4.8PF 25V NP0 0201

• ISC1812ES181J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 180UH 5% 1812

• IRFU5505

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK

• H48-6C-640-320-2.0-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH

• IRFU6215

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK

• ISC1812ES1R2J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812

• GJM0335C1E5R0CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5PF 25V NP0 0201

• H48-6G-100-100-2.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 100X100X2MM

• IPW65R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247