IPW65R190E6 全國供應商、價格、PDF資料

IPW65R190E6詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

系列：CoolMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：650V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：20.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 7.3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 730µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：73nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 100V

功率_最大：151W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應商設備封裝：PG-TO247-3

包裝：管件

• ISC1812ES1R2J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812

• GJM0335C1E5R0CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5PF 25V NP0 0201

• H48-6G-100-100-2.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 100X100X2MM

• IPW65R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247

• IRFU9120

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK

• FDS6676AS

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

• GJM0335C1E5R1CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201

• ISC1812ES1R8K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812

• IRFU9120NPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK

• IRFU9310PBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK

• FDS6680AS

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

• ISC1812ES331K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 330UH 10% 1812

• GJM0335C1E5R2CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201

• IRFW630BTM_FP001

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

• H48-6G-150-150-1.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 150X150X1MM