IRC630PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
- 系列:HEXFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:電流感測
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 5.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
- 功率_最大:74W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-5
- 供應商設備封裝:TO-220-5
- 包裝:管件
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 5600PF 1.25KVDC RADIAL
- 評估板 - 音頻放大器 International Rectifier KIT DESIGN IRS20957S/IRF6645
- 接口 - 傳感器和探測器接口 ON Semiconductor IC TOUCH SENSOR SOP
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO ADJ 1.5A SOT223-5
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 500V 5% RADIAL
- 端子 - 端子和導線接片 Panduit Corp WIRE JOINT NYLON INS 18-12AWG
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 2420(6050 公制) CAP FILM 0.1UF 250VDC 2420
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.056UF 1.25KVDC RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 3.6PF 50V NP0 0402
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 50V 10% RADIAL
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 1.8V 1.5A SOT-223-5
- RF 收發器 NXP Semiconductors 56-VFQFN MCU 802.15.4 32BIT 2.4G 56-QFN
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 1913(4833 公制) CAP FILM 1200PF 250VDC 1913
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 6200PF 1.25KVDC RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 3.9PF 50V NP0 0402
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