IRF1010NS詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:85A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫歐 @ 43A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:120nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3210pF @ 25V
- 功率_最大:180W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF1010NSPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:85A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫歐 @ 43A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:120nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3210pF @ 25V
- 功率_最大:180W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF1010NSTRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:85A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫歐 @ 43A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:120nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3210pF @ 25V
- 功率_最大:180W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF1010NSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:85A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫歐 @ 43A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:120nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3210pF @ 25V
- 功率_最大:180W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF1010NSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:85A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫歐 @ 43A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:120nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3210pF @ 25V
- 功率_最大:180W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF1010NSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:85A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫歐 @ 43A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:120nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3210pF @ 25V
- 功率_最大:180W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) HEX/MOS P-CH DUAL 12V 7.8A 8SOIC
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR HIGH CURRENT 15UH SMD
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1812
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRU BEAM 2.2M
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 8POS PIN
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR HIGH CURRENT 22UH SMD
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 22UH 5% 1812
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS HIGH FLEX T-BEAM 3MM DIA
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS STRGHT W/SKT
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