IRF3205L詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:110A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 62A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:146nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3247pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF3205LPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:110A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 62A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:146nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3247pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF3205PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:110A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 62A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:146nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3247pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRF3205SPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:110A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 62A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:146nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3247pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3205STRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:110A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 62A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:146nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3247pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
IRF3205STRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:110A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 62A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:146nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3247pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS HI FLEX SIDEVIEW 3MM HEAD
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
- FET - 單 International Rectifier TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div T-BEAM FIBER R4 RUGGED 2M CBL
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
北安市|
清丰县|
滦南县|
长寿区|
大余县|
鄂州市|
安岳县|
龙州县|
沂水县|
喀喇沁旗|
花莲市|
西平县|
古田县|
大化|
东乌珠穆沁旗|
措勤县|
陈巴尔虎旗|
汝州市|
玉门市|
泊头市|
泰兴市|
遂川县|
瑞金市|
邵阳市|
广宁县|
双峰县|
宣恩县|
舟山市|
阿城市|
五台县|
千阳县|
荆门市|
奉贤区|
鲜城|
綦江县|
丹东市|
怀集县|
辉南县|
惠水县|
左云县|
休宁县|