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IRF3205STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：110A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF3205STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：110A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3205STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：110A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

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