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IRF3205Z詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 66A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3205ZL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 66A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3205ZLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 66A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3205ZPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 66A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3205ZS詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 66A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3205ZSPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 66A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

F910J227KCC
鉭 Nichicon 2312（6032 公制） CAP TANT 220UF 6.3V 10% 2312
EYM10DTMD-S273
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD
FAN2108MPX
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Fairchild Semiconductor 25-MLP IC REG BUCK SYNC ADJ 8A 25MLP
F910J227MNC
鉭 Nichicon 2917（7343 公制） CAP TANT 220UF 6.3V 20% 2917
IRF3205ZS
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
CRCW25121K15FKEGHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.15K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
EYM10DTMD-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS R/A .156
FAN21SV04MPX
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Fairchild Semiconductor 25-MLP IC REG BUCK SYNC ADJ 4A 25MLP
F910J337KNC
鉭 Nichicon 2917（7343 公制） CAP TANT 330UF 6.3V 10% 2917
CRCW25121K18FKEGHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.18K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
EYM10DTMH-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD
F911A107KCC
鉭 Nichicon 2312（6032 公制） CAP TANT 100UF 10V 10% 2312
FAN2500S30X
PMIC - 穩壓器 - 線性 Fairchild Semiconductor SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 3V .1A SOT-23-5
FAN2558MP18X
PMIC - 穩壓器 - 線性 Fairchild Semiconductor 6-MLP IC REG LDO 1.8V .18A 6MLP
CRCW25121K20FKEGHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.20K OHM 1.5W 1% 2512 SMD

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