IRF3707ZS詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:59A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3707ZSPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:59A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3707ZSTRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:59A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF3707ZSTRLP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:59A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF3707ZSTRR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:59A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF3707ZSTRRP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:59A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM ALINGAP2 AMBER 30X70DEG
- FET IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH SOT-227B
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT CAPS SMA 500EA
- PMIC - 監控器 Intersil SC-74A,SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 9MBIT 166MHZ 165LFBGA
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 7.3728 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT CAPS SMA 500EA
- FET IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
- PMIC - 監控器 Intersil SC-74A,SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 119-BGA IC SRAM 9MBIT 200MHZ 119BGA
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 73.728 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
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