IRF510 全國供應商、價格、PDF資料

IRF510詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.6A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V

功率_最大：43W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF510L詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.6A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262-3

包裝：管件

IRF510PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.6A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V

功率_最大：43W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF510S詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.6A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF510SPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.6A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF510STRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.6A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• IXFT26N60P

  FET - 單    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

• HLMP-CB19-TW000

  LED - 分立式    Avago Technologies US Inc.    徑向    LED T1-3/4 SUPER BRIGHT BLUE

• IRF4905LPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET P-CH 55V 42A TO-262

• ISL8842AMBZ

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG CTRLR PWM CM 8SOIC

• IRFR3706TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 20V 75A DPAK

• CY7C1370DV25-200BZC

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    165-LBGA    IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165LFBGA

• FVXO-LC72BR-74.25

  振蕩器    Fox Electronics    6-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 74.25 MHZ 2.5V LVDS SMD

• IXFT36N50P

  FET - 單    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

• HFBR-4522

  配件    Avago Technologies US Inc.        HDWR V-LINK PORT PLUGS 500PC

• IRFR3707TRLPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

• GRM1556S1H3R5CZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 3.5PF 50V S2H 0402

• FVXO-LC73B-10

  振蕩器    Fox Electronics    6-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 10 MHZ 3.3V LVDS SMD

• CY7C1372D-167AXC

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    100-LQFP    IC SRAM 18MBIT 167MHZ 100LQFP

• IXFT40N30Q

  FET - 單    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    MOSFET N-CH 300V 40A TO-268

• HFBR-4522Z

  配件    Avago Technologies US Inc.        HDWR V-LINK PORT PLUGS 500PC