IRF510L詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262-3
- 包裝:管件
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 4.7UH 10% 1812
- PMIC - 穩壓器 - 線性 + 切換式 Intersil 24-SSOP(0.154",3.90mm 寬) IC REG TRPL BUCK/LINEAR 24QSOP
- FET - 單 IXYS TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP GP R-R 1MHZ DUAL 8SOIC
- 晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432 MHZ 20PF 49US
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC REG LDO 3.3V .2A 8-MSOP
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 270NH 10% 1812
- 評估板 - DC/DC 與 AC/DC(離線)SMPS Intersil 24-VFQFN 裸露焊盤 EVALUATION BOARD FOR ISL6455
- 晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP GP R-R 1MHZ DUAL 8SOIC
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC REG LDO 5V .2A 8-MSOP
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432 MHZ 20PF SMD
- FET - 單 IXYS TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
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