IRF5305S詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:31A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF5305SPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:31A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF5305STRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:31A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
IRF5305STRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:31A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF5305STRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:31A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF5305STRR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:31A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- IGBT - 單路 IXYS * IGBT B3 1200V 86A TO-247
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 16-QFN
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC VOICE REC/PLAY 16S 28-SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
- 晶體 ECS Inc 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 18.432MHZ SERIES SMD
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 8-WDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3.3V .2A 8-LLP
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC OP AMP DUAL LOW V R-R 8-MSOP
- IGBT IXYS SOT-227-4,miniBLOC IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC VOICE REC/PLAY 20SEC 28-SOIC
- 晶體 ECS Inc 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 18.432MHZ SERIES SMD
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818 MHZ 20PF 49US
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC OP AMP DUAL LOW VOLT 8MSOP
- IGBT IXYS SOT-227-4,miniBLOC IGBT XPT 1200V 134A SOT-227B
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
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