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IRF540NSPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF540NSTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF540NSTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF540NSTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF540NSTRRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF540NSTRRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

HFBR-4531
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK CONN CRIMPLESS BLACK
CY7C139-25JXC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 68-LCC（J 形引線） IC SRAM 36KBIT 25NS 68PLCC
IRF540L
FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
HLMP-CE15-WZCDD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM INGAN 505NM CYAN 15DEG
FVXO-LC73BR-148.352
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 148.352 MHZ 3.3V LVDS SMD
GRM1556S1H5R8DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.8PF 50V S2H 0402
IRFR3711ZTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
IXFV52N30PS
FET - 單 IXYS PLUS-220SMD MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220-S
CY7C1399B-12VC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 28-BSOJ IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ
GRM1556S1H6R0CZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 6PF 50V S2H 0402
IRFR3711ZTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
HLMP-CE15-WZQDD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM INGAN 505NM CYAN 15DEG
IXFV74N20P
FET - 單 IXYS TO-220-3（SMT）標片 MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220
CY7C1399B-15ZXI
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC SRAM 256KBIT 15NS 28TSOP
FVXO-LC73BR-400
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 400 MHZ 3.3V LVDS SMD

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