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IRF630NSTRR 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF630NSTRR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫歐 @ 5.4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:575pF @ 25V
功率_最大:82W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

IRF630NSTRRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫歐 @ 5.4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:575pF @ 25V
功率_最大:82W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

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