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IRF640詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220; 系列：MESH OVERLAY™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1560pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF640,127詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1850pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF640FP詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP; 系列：MESH OVERLAY™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1560pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應商設備封裝：TO-220FP; 包裝：管件

IRF640L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF640LPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262-3; 包裝：管件

IRF640N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

H2MXS-2606G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26S/AE26G/X
GP12MSABE(T&R)
按鈕 C&K Components 模塊 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
H2MXS-2636G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26S/AE26G/X
IRF634
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 8A TO-220
H2BBT-10108-N4-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015N/H1500TR 8"
IRF7706TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
FG-BVX
配件 OKI/Metcal TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB FILTER GAS FOR BVX SYSTEM
IPI65R600C6
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
H2MXS-3018M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30S/AE30M/X
H2BBT-10108-S6-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049S/H1500TR 8"
IRF7707GTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
H2MXS-3036G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30S/AE30G/X
FGC.0B.305.CLAD52Z
連接器，互連器件 LEMO TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB PLUG CDC 5CTS C-COL
IPI70N04S4-06
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
H2MXS-5036M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM50S/AE50M/X

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