IRF640NSPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1160pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF640NSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1160pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
IRF640NSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1160pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF640NSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1160pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF640NSTRRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1160pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF640NSTRRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1160pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
- 光學 - LED,燈 - 透鏡 Ledil - LENS LXP MEDIUM 26DEG
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 5.6UH 15A SMD
- PMIC - 穩流/電流管理 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC CURRENT MONITOR 0.5% SOT23-5
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0606(1616 公制),凸起 RES ARRAY 7.5K OHM 2 RES 0606
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 10UH 19A SMD
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0606(1616 公制),凸起 RES ARRAY 82K OHM 2 RES 0606
- PMIC - 穩流/電流管理 Texas Instruments 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC CURRENT MONITOR 0.5% 8TSSOP
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 10UH 16A SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP INSTR 1MHZ SGL 8SOIC
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0606(1616 公制),凸起 RES ARRAY 9.1 OHM 2 RES 0606
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
- 邏輯 - 鎖銷 Texas Instruments 48-TFSOP(0.240",6.10mm 寬) IC DTYPE LATCH 16BIT 48TSSOP
- USB PHIHONG USA TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB CABLE USB A TO MICRO-B 1.5M
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