IRF640STR 全國供應商、價格、PDF資料

IRF640STRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：130W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF640STRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：130W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）

包裝：剪切帶 (CT)

IRF640STRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：130W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）

包裝：Digi-Reel®

IRF640STRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：130W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）

包裝：帶卷 (TR)

IRF640STRR詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：130W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF640STRRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：130W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）

包裝：Digi-Reel®

• H2PXH-1018G

  矩形    Assmann WSW Components        DIP CABLE - HDP10H/AE10G/X

• H2BBT-10110-B4-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1500TR/A2015B/H1500TR10"

• IRF640S

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

• IRF7752GTRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP

• FGG.00.302.CLAD22Z

  連接器，互連器件    LEMO    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    PLUG CDG 2CTS C-COL

• IPI80N06S2-08

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

• H2PXH-1418G

  矩形    Assmann WSW Components        DIP CABLE - HDP14H/AE14G/X

• GP15MHE3/54

  單二極管/整流器    Vishay General Semiconductor    DO-204AC，DO-15，軸向    DIODE 1.5A 1000V SMC DO15

• H2BBT-10110-L4-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1500TR/A2015L/H1500TR10"

• IRF7755GTRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH DUAL 20V 3.9A 8TSSOP

• IPI80N06S3-07

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

• FGG.00.302.CLAD30Z

  連接器，互連器件    LEMO    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    PLUG CDG 2CTS C-COL

• H2PXS-1036G

  矩形    Assmann WSW Components        DIP CABLE - HDP10S/AE10G/X

• GP1A057RBKLF

  光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出    Sharp Microelectronics    開槽模塊    PHOTOINTERRUPTER OPIC SLOT

• H2BBT-10110-R6-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1500TR/A3049R/H1500TR10"