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IRF644詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF644B_FP001詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A TO-220; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V; 功率_最大：139W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220; 包裝：管件

IRF644L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF644N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF644NLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF644NPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

ECQ-M2182KZ
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1800PF 200VDC RADIAL
IXFX80N50P
FET - 單 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
IRF644N
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
K181J15C0GK5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 180PF 200V 5% RADIAL
LM614IWM/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC OP AMP QUAD & ADJ REF 16-SOIC
ISL6614CRZ-T
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC DRIVER DUAL SYNC BUCK 16-QFN
ECQ-M2332KZ
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3300PF 200VDC RADIAL
K220J10C0GF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 22PF 50V 5% RADIAL
KTR18EZPF1804
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 1.80M OHM 1/4W 1% 1206 SMD
K181J15C0GL5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 180PF 500V 5% RADIAL
LM614IWMX
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC OP AMP QUAD & ADJ REF 16-SOIC
ECQ-M4104KZ
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.1UF 400VDC RADIAL
K220J10C0GF5WH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 22PF 50V 5% RADIAL
KTR18EZPF2703
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 270K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
IXFX90N20Q
FET - 單 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247

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