IRF6610TR1 全國供應商、價格、PDF資料
IRF6610TR1詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.8 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SQ
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SQ
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6610TR1詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.8 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SQ
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SQ
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6610TR1PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.8 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SQ
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SQ
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6610TR1PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.8 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SQ
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SQ
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6610TR1PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.8 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SQ
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SQ
- 包裝:Digi-Reel®
- 未定義的系列 Texas Instruments * IC AMP CURR FEEDBK 100MHZ 8-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 180PF 100V 10% RADIAL
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC DRVR DUAL SYNC BUCK 16-QFN
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 2700PF 400VDC RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 22PF 100V 5% RADIAL
- IGBT - 單路 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB IGBT FAST B2 600V 40A TO-263
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-DIP(0.300",7.62mm) IC AMP CUR FEEDBACK 100MHZ 8-DIP
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 180PF 50V 10% RADIAL
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC DRVR DUAL SYNC BUCK 16-QFN
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.027UF 400VDC RADIAL
- IGBT - 單路 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB IGBT 1000V 40A TO-263
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 22PF 50V 5% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 180PF 100V X7R RADIAL
- 溫度 Texas Instruments IC TEMP SENSOR 2.7V SOT23-3
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