IRF6619TR1 全國供應商、價格、PDF資料
IRF6619TR1詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6619TR1詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6619TR1PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6619TR1PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6619TR1PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:Digi-Reel®
- 線性 - 比較器 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC COMPAR TNY CMOS RR IN SOT23-5
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 620-BBGA 裸露焊盤 IC MPU POWERQUICC II 620-PBGA
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS CBL MNT SKT
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL
- 固定式 Vishay Dale 0805(2012 公制) INDUCTOR 100NH 5% 0805
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 41POS W/SKT CABLE
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL
- 固定式 Vishay Dale 0805(2012 公制) INDUCTOR 180NH 5% 0805
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 21POS CABLE SKT
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 672-LBGA IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA
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