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IRF6620詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 27A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4130pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6620詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 27A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4130pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6620TR1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 27A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4130pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6620TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 27A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4130pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6620TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 27A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4130pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6620TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 27A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4130pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：Digi-Reel®

IMP1-3S0-3S0-30-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F21-39SE-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 39POS SKT
E32-T25Y 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div T-BEAM FIBER SIDE VIEW 2M CBL
IRF6620
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
IPS6031RTRLPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內部開關 International Rectifier TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD IC IPS SW HI SIDE DVR 1CH DPAK-5
HCM43DRYN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD
HB15SKW01-5C-AB
按鈕 NKK Switches 徑向，Can SWITCH PUSH SPDT 0.1A 30V
DTS26F21-39SN-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 39POS SKT
IMP1-3U0-3U0-00-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IPS6031SPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內部開關 International Rectifier TO-263-5，D²Pak（4 引線+接片），TO-263BB INTELLIGENT POWER SW 1CH D2PAK-5
HCM43DSAN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS R/A .156 SLD
H3AXT-10105-V8-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1506TR/A3048V/X 5"
HB15SKW01-5F-JB
按鈕 NKK Switches 徑向，Can SWITCH PUSH SPDT 0.1A 30V
DTS26F21-41JD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 41POS STRGHT W/SKT
IMP1-3U0-3U0-30-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

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